Nanoscale InGaSb Heterostructure Membranes on Si Substrates for High Hole Mobility Transistors

K. Takei, Morten Madsen, H. Fang, R. Kapadia, S. Chuang, H. S. Kim, C.-H. Liu, E. Plis, J. Nah, S. Krishna, Y.-L. Chueh, J. Guo, A. Javey

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

OriginalsprogEngelsk
TidsskriftNano Letters
Vol/bind12
Udgave nummer4
Sider (fra-til)2060-2066
Antal sider7
ISSN1530-6984
DOI
StatusUdgivet - 2012

Citationsformater

Takei, K., Madsen, M., Fang, H., Kapadia, R., Chuang, S., Kim, H. S., Liu, C-H., Plis, E., Nah, J., Krishna, S., Chueh, Y-L., Guo, J., & Javey, A. (2012). Nanoscale InGaSb Heterostructure Membranes on Si Substrates for High Hole Mobility Transistors. Nano Letters, 12(4), 2060-2066. https://doi.org/10.1021/nl300228b