Electronic prperties of ultrathin (HfO2)x (SiO2)1-x dielectrics on Si(100)

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

OriginalsprogEngelsk
TidsskriftOyo Buturi
Vol/bind102
Udgave nummer5
Sider (fra-til)053709-053709-6
Antal sider7
ISSN0369-8009
StatusUdgivet - 2007

Citer dette

@article{429450b0ff1311dc86ef000ea68e967b,
title = "Electronic prperties of ultrathin (HfO2)x (SiO2)1-x dielectrics on Si(100)",
author = "Sven Tougaard",
year = "2007",
language = "English",
volume = "102",
pages = "053709--053709--6",
journal = "Oyo Buturi",
issn = "0369-8009",
number = "5",

}

Electronic prperties of ultrathin (HfO2)x (SiO2)1-x dielectrics on Si(100). / Tougaard, Sven.

I: Oyo Buturi, Bind 102, Nr. 5, 2007, s. 053709-053709-6.

Publikation: Bidrag til tidsskriftTidsskriftartikelForskningpeer review

TY - JOUR

T1 - Electronic prperties of ultrathin (HfO2)x (SiO2)1-x dielectrics on Si(100)

AU - Tougaard, Sven

PY - 2007

Y1 - 2007

M3 - Journal article

VL - 102

SP - 053709-053709-6

JO - Oyo Buturi

JF - Oyo Buturi

SN - 0369-8009

IS - 5

ER -